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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:瑞士ABB IGBT

  • 產(chǎn)品型號:5SNA 3600E170300
  • 產(chǎn)品廠商:ABB
  • 產(chǎn)品價格:0
  • 折扣價格:0
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
ABB從300-12000A 及200-8500 v 的電力半導(dǎo)體.傳統(tǒng)與現(xiàn)代工藝相結(jié)合的多種電力半導(dǎo)體能滿足牽引業(yè),工業(yè)及能源傳動節(jié)業(yè)。 這種產(chǎn)品主要包括 GTO, IGBT, IGCT, 晶閘管及二極管。其在300-12000A及200-8500 V的電力下優(yōu)良好表現(xiàn)。
詳情介紹:
和 GTO及IGCT相比,IGBT 傳導(dǎo)損失相對較高,關(guān)斷損失則較低。 因此,優(yōu)化的IGBT開關(guān)頻率與相同額定的GTO和IGCT相比而言是很高的。

無保護(hù)網(wǎng)(“緩沖器”)也可使用IGBT, 因而可以使極為簡單的系統(tǒng)拓?fù)鋵W(xué)化。這種簡化會導(dǎo)致這樣一個結(jié)果:大部分的系統(tǒng)損失會在硅中消散因此通過熱約束減少*大開關(guān)功率。

所有IGBT獨有的特性是它有能承受短路(高電流和高電壓在裝置中同時交叉)的能力。短路時,能通過IGBT到達(dá)裝置設(shè)計的水平的電流時有限的。僅有門控制又不對裝置造成長久性損傷在10微秒內(nèi)**的關(guān)閉短路是不可能的。 

IGBT 由1 cm2的半導(dǎo)體芯片構(gòu)成。與之相匹配的二極管一同,IGCT 被做成不同的模塊,電和機械的裝置以及各種電額定。 

 

Insulated-gate bipolar transistors (IGBT) and diode dies

ABB Semiconductors’ SPT (Soft Punch Through) chipsets and its improved versions with lower losses (SPT+and SPT++) are available at 1200 and 1700 volt. They feature highest output power per rated ampere due to a moderate chip shrinkage and thus larger die area.
Typical applications for 1200 volt are power converters for industrial drives, solar energy, battery backup systems (UPS) and electrical vehicles. Applications for 1700 volt include industrial power conversion & drives, wind turbines and traction.
ABB’s newly introduced 1700 V SPT++ chipset is the world’s first 1700 V chipset that offers an operational junction temperature of up to 175 °C. This allows the module designer to increase the power density of power modules significantly.



瑞士ABB的IGBT模塊型號大全

瑞士ABB的IGBT功率模塊的單IGBT,雙/相支路IGBT,斬波器和雙二極管模塊的電壓范圍為1700至6500伏。高功率HiPak IGBT模塊具有低損耗和軟開關(guān)性能以及創(chuàng)紀(jì)錄的**工作區(qū)(SOA)。新推出的62Pak快速開關(guān)**率IGBT模塊具有zui低的開關(guān)損耗,完全正方形SOA和標(biāo)準(zhǔn)封裝允許完全175°C的操作,允許直接替換。



IGBT Part number

Datasheet

Type

Size mm

VCES (V)

IC (A)

1.2 kV

5SMY 76H1280/
5SMY 86H1280

5SMY 12H1280

SPT+

9.1 x 9.1

1200

57

5SMY 76J1280/
5SMY 86J1280

5SMY 12J1280

SPT+

10.2 x 10.2

1200

75

5SMY 76K1280/
5SMY 86K1280

5SMY 12K1280

SPT+

11.2 x 11.9

1200

100

5SMY 76M1280/
5SMY 86M1280

5SMY 12M1280

SPT+

13.5 x 13.5

1200

150

1.7 kV

5SMY 86G1721

5SMY 12G1721

SPT+

8.6 x 8.6

1700

50

5SMY 86J1721/
5SMY 12J1721

5SMY 12J1721

SPT+

10.1 x 10.1

1700

75

5SMY 86K1721/
5SMY 12K1721

5SMY 12K1721

SPT+

11.4 x 11.4

1700

100

5SMY 86M1721/
5SMY 12M1721

5SMY 12M1721

SPT+

13.6 x 13.6

1700

150

5SMY 86M1730*

5SMY 12M1730

SPT++

13.6 x 13.6

1700

150


Diode Part number

Datasheet

Type

Size mm

VRRM (V)

IF (A)

1.2 kV

5SLY 76E1200/
5SLY 86E1200

5SLY 12E1200

SPT+

6.3 x 6.3

1200

50

5SLY 76F1200/
5SLY 86F1200

5SLY 12F1200

SPT+

7.4 x 7.4

1200

75

5SLY 76G1200/
5SLY 86G1200

5SLY 12G1200

SPT+

8.4 x 8.4

1200

100

5SLY 76J1200/
5SLY 86J1200

5SLY 12J1200

SPT+

10 x 10

1200

150

1.7 kV

5SLY 86E1700

5SLY 12E1700

SPT+

6.3 x 6.3

1700

50

5SLY 86F1700

5SLY 12F1700

SPT+

7.7 x 7.7

1700

75

5SLY 86G1700

5SLY 12G1700

SPT+

8.6 x 8.6

1700

100

5SLY 86J1700/
5SLY 12J1700

5SLY 12J1700

SPT+

10.2 x 10.2

1700

150

5SLY 86M1700/
5SLY 12M1700

5SLY 12M1700

SPT+

13.5 x 13.5

1700

300

5SLZ 86J1700*

 5SLZ 12J1700

SPT++

10.2 x 10.2

1700

150

 

 

Part Number

Voltage VCES (V)

Current I(A)

Type

 


Tvj (operational) up to 125°C

1.7 kV

5SND 0800M170100

1700

2x800

Dual IGBT

5SNE 0800M170100

1700

800

Chopper

5SNA 1600N170100

1700

1600

Single IGBT

5SNA 1800E170100

1700

1800

Single IGBT

5SNA 2400E170100 **

1700

2400

Single IGBT

3.3 kV

5SNE 0800E330100

3300

800

Chopper

5SNA 0800N330100

3300

800

Single IGBT

5SLD 1200J330100

3300

2x1200

Dual Diode

5SNA 1200E330100

3300

1200

Single IGBT

5SNA 1200G330100

3300

1200

Single IGBT

Tvj (operational) up to 150°C

1.7 kV

5SNA 2400E170305

1700

2400

Single IGBT

5SNA 3600E170300

1700

3600

Single IGBT

5SLA 3600E170300

1700

3600

Single Diode

2.5kV

5SNA 1500E250300

2500

1500

Single IGBT

3.3kV

5SNG 0250P330305

3300

2x250

Half Bridge

5SLG 0500P330300

3300

2 x 500

Diode Bridge

5SND 0500N330300

3300

2 x 500

Dual IGBT

5SLD 1000N330300

3300

1000

Dual Diode

5SNA 1000N330300

3300

1000

Single IGBT

5SNA 1500E330305

3300

1500

Single IGBT

Tvj (operational) up to 125°C

4.5 kV

5SNG 0150P450300

4500

2x150

Half Bridge

5SLG 0600P450300

4500

2 x 600

Diode Bridge

5SLD 0650J450300

4500

2x650

Dual Diode

5SNA 0650J450300

4500

650

Single IGBT

5SNA 0800J450300

4500

800

Single IGBT

5SLD 1200J450350

4500

2x1200

Dual Diode

5SNA 1200G450300

4500

1200

Single IGBT

5SNA 1200G450350

4500

1200

Single IGBT

6.5 kV

5SNA 0400J650100

6500

400

Single IGBT

5SNA 0500J650300

6500

500

Single IGBT

5SLD 0600J650100

6500

2x600

Dual Diode

5SNA 0600G650100

6500

600

Single IGBT

5SNA 0750G650300

6500

750

Single IGBT

 



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